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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFI4321PBF
IRFI4321PBF Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFI4321PBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFI4321PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFI4321PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 150V 34A TO220AB FP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack
Scheda dati
IRFI4321PBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 27330

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFI4321PBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFI4321PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFI4321PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB Full-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 16mOhm @ 20A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 46W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4440 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 150 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 34A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRFI4321  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFI4321PBF

Proprietà del prodotto IRFI4321PBF IRFI4410ZGPBF IRFI4110GPBF IRFI510GPBF
Modello di prodotti IRFI4321PBF IRFI4410ZGPBF IRFI4110GPBF IRFI510GPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 34A (Tc) 43A (Tc) 72A (Tc) 4.5A (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 46W (Tc) 47W (Tc) 61W (Tc) 27W (Tc)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 4V @ 150µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±20V
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB Full-Pak TO-220AB Full-Pak TO-220AB Full-Pak TO-220-3
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
Tensione drain-source (Vdss) 150 V 100 V 100 V 100 V
Numero di prodotto di base IRFI4321 - IRFI4110 IRFI510
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4440 pF @ 50 V 4910 pF @ 50 V 9540 pF @ 50 V 180 pF @ 25 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 290 nC @ 10 V 8.3 nC @ 10 V
Rds On (max) a Id, Vgs 16mOhm @ 20A, 10V 9.3mOhm @ 26A, 10V 4.5mOhm @ 43A, 10V 540mOhm @ 2.7A, 10V

IRFI4321PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFI4321PBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFI4321PBF - Infineon Technologies.

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