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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFH7191TRPBF
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFH7191TRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFH7191TRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFH7191TRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 15A/80A PQFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
IRFH7191PbF.pdf
In magazzino: 4920

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFH7191TRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFH7191TRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFH7191TRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3.6V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PQFN (5x6)  
Serie FASTIRFET™, HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 8mOhm @ 48A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.6W (Ta), 104W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1685 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Ta), 80A (Tc)  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFH7191TRPBF

Proprietà del prodotto IRFH7191TRPBF IRFH7190ATRPBF IRFH7194TRPBF IRFH7185TRPBF
Modello di prodotti IRFH7191TRPBF IRFH7190ATRPBF IRFH7194TRPBF IRFH7185TRPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Rds On (max) a Id, Vgs 8mOhm @ 48A, 10V - 16.4mOhm @ 21A, 10V 5.2mOhm @ 50A, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V - 19 nC @ 10 V 54 nC @ 10 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Ta), 80A (Tc) - 11A (Ta), 35A (Tc) 19A (Ta)
Contenitore dispositivo fornitore PQFN (5x6) - 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN - 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 3.6V @ 100µA - 3.6V @ 50µA 3.6V @ 150µA
Serie FASTIRFET™, HEXFET® * FASTIRFET™, HEXFET® FASTIRFET™, HEXFET®
Tensione drain-source (Vdss) 100 V - 100 V 100 V
Tipo FET N-Channel - N-Channel N-Channel
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1685 pF @ 50 V - 733 pF @ 50 V 2320 pF @ 50 V
Tipo montaggio Surface Mount - Surface Mount Surface Mount
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 10V 10V
Vgs (Max) ±20V - ±20V ±20V
Dissipazione di potenza (max) 3.6W (Ta), 104W (Tc) - 3.6W (Ta), 39W (Tc) 3.6W (Ta), 160W (Tc)

IRFH7191TRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFH7191TRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFH7191TRPBF - Infineon Technologies.

Packaging PCN
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf Barcode Label Update 24/Feb/2017.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Wafer Fab Closure/Device EOL 27/Oct/2016.pdf
Informazioni ambientali
PQFN 5x6 RoHS Compliance.pdf
Schede tecniche
IRFH7191PbF.pdf

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Europa Germania 5
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Italia 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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