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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFH7110TR2PBF
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

IRFH7110TR2PBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFH7110TR2PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFH7110TR2PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N CH 100V 11A PQFN5X6
Pacchetto
8-TQFN Exposed Pad
Scheda dati
IRFH7110PbF.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 4700

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFH7110TR2PBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFH7110TR2PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFH7110TR2PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 100µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-PQFN (5x6)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 13.5mOhm @ 35A, 10V  
Contenitore / involucro 8-TQFN Exposed Pad  
Pacchetto Cut Tape (CT)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3240 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 87 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Ta), 58A (Tc)  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFH7110TR2PBF

Proprietà del prodotto IRFH7110TR2PBF IRFH7185TRPBF IRFH7182TRPBF IRFH7107TR2PBF
Modello di prodotti IRFH7110TR2PBF IRFH7185TRPBF IRFH7182TRPBF IRFH7107TR2PBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Contenitore dispositivo fornitore 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 87 nC @ 10 V 54 nC @ 10 V 74 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Ta), 58A (Tc) 19A (Ta) 23A (Ta), 157A (Tc) 14A (Ta), 75A (Tc)
Serie - FASTIRFET™, HEXFET® FASTIRFET™, HEXFET® -
Rds On (max) a Id, Vgs 13.5mOhm @ 35A, 10V 5.2mOhm @ 50A, 10V 3.9mOhm @ 50A, 10V 8.5mOhm @ 45A, 10V
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore / involucro 8-TQFN Exposed Pad 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 100µA 3.6V @ 150µA 3.6V @ 250µA 4V @ 100µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3240 pF @ 25 V 2320 pF @ 50 V 3120 pF @ 50 V 3110 pF @ 25 V
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 75 V
Pacchetto Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

IRFH7110TR2PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFH7110TR2PBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFH7110TR2PBF - Infineon Technologies.

Assemblaggio/origine PCN
Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 13/Nov/2013.pdf
Schede tecniche
IRFH7110PbF.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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