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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFH7184TRPBF
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFH7184TRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFH7184TRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFH7184TRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 20A/128A PQFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
IRFH7184PbF.pdf
In magazzino: 4370

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFH7184TRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFH7184TRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFH7184TRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3.6V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PQFN (5x6)  
Serie FASTIRFET™, HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 4.8mOhm @ 50A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.9W (Ta), 156W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2320 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Ta), 128A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFH7184TRPBF

Proprietà del prodotto IRFH7184TRPBF IRFH7440TR2PBF IRFH7190TRPBF IRFH7107TRPBF
Modello di prodotti IRFH7184TRPBF IRFH7440TR2PBF IRFH7190TRPBF IRFH7107TRPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 10 V 138 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V
Serie FASTIRFET™, HEXFET® - FASTIRFET™, HEXFET® HEXFET®
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Ta), 128A (Tc) 85A (Tc) 15A (Ta), 82A (Tc) 14A (Ta), 75A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 10V 10V
Vgs (Max) ±20V - ±20V ±20V
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 40 V 100 V 75 V
Dissipazione di potenza (max) 3.9W (Ta), 156W (Tc) - 3.6W (Ta), 104W (Tc) 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 4.8mOhm @ 50A, 10V 2.4mOhm @ 50A, 10V 7.5mOhm @ 49A, 10V 8.5mOhm @ 45A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2320 pF @ 50 V 4574 pF @ 25 V 1685 pF @ 50 V 3110 pF @ 25 V
Vgs (th) (max) a Id 3.6V @ 150µA 3.9V @ 100µA 3.6V @ 100µA 4V @ 100µA
Pacchetto Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

IRFH7184TRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFH7184TRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFH7184TRPBF - Infineon Technologies.

Packaging PCN
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf
Informazioni ambientali
PQFN 5x6 RoHS Compliance.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Device EOL 22/Jul/2016.pdf
Schede tecniche
IRFH7184PbF.pdf

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Europa Germania 5
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Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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