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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFH7182TRPBF
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFH7182TRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFH7182TRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFH7182TRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 23A/157A 8PQFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
IRFH7182PbF.pdf
In magazzino: 4800

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFH7182TRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFH7182TRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFH7182TRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3.6V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-PQFN (5x6)  
Serie FASTIRFET™, HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 3.9mOhm @ 50A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 4W (Ta), 195W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3120 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 23A (Ta), 157A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFH7182TRPBF

Proprietà del prodotto IRFH7182TRPBF IRFH7190ATRPBF IRFH7107TRPBF IRFH7110TR2PBF
Modello di prodotti IRFH7182TRPBF IRFH7190ATRPBF IRFH7107TRPBF IRFH7110TR2PBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Vgs (Max) ±20V - ±20V -
Serie FASTIRFET™, HEXFET® * HEXFET® -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 10 V - 72 nC @ 10 V 87 nC @ 10 V
Dissipazione di potenza (max) 4W (Ta), 195W (Tc) - 3.6W (Ta), 104W (Tc) -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 10V -
Tipo FET N-Channel - N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 23A (Ta), 157A (Tc) - 14A (Ta), 75A (Tc) 11A (Ta), 58A (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 3.6V @ 250µA - 4V @ 100µA 4V @ 100µA
Contenitore dispositivo fornitore 8-PQFN (5x6) - 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
Tensione drain-source (Vdss) 100 V - 75 V 100 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3120 pF @ 50 V - 3110 pF @ 25 V 3240 pF @ 25 V
Tipo montaggio Surface Mount - Surface Mount Surface Mount
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN - 8-PowerTDFN 8-TQFN Exposed Pad
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 3.9mOhm @ 50A, 10V - 8.5mOhm @ 45A, 10V 13.5mOhm @ 35A, 10V

IRFH7182TRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFH7182TRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFH7182TRPBF - Infineon Technologies.

PCN Obsolescence/ EOL
Mult Device EOL 22/Jul/2016.pdf
Schede tecniche
IRFH7182PbF.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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