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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciIRFH4253DTRPBF
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFH4253DTRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFH4253DTRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFH4253DTRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerVDFN
Scheda dati
IRFH4253DTRPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 36644

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFH4253DTRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFH4253DTRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFH4253DTRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.1V @ 35µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PQFN (5x6)  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 3.2mOhm @ 30A, 10V  
Potenza - Max 31W, 50W  
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1314pF @ 13V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 25V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 64A, 145A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base IRFH4253  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFH4253DTRPBF

Proprietà del prodotto IRFH4253DTRPBF IRFH4251DTRPBF IRFH4257DTRPBF IRFH4255DTRPBF
Modello di prodotti IRFH4253DTRPBF IRFH4251DTRPBF IRFH4257DTRPBF IRFH4255DTRPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual), Schottky 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore PQFN (5x6) PG-TISON-8 Dual PQFN (5x4) PQFN (5x6)
Numero di prodotto di base IRFH4253 IRFH4251 IRFH4257 IRFH4255
Vgs (th) (max) a Id 2.1V @ 35µA 2.1V @ 35µA 2.1V @ 35µA 2.1V @ 35µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V 15nC @ 4.5V 15nC @ 4.5V 15nC @ 4.5V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 25V 25V 25V 25V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 64A, 145A 64A, 188A 25A 64A, 105A
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Potenza - Max 31W, 50W 31W, 63W 25W, 28W 31W, 38W
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1314pF @ 13V 1314pF @ 13V 1321pF @ 13V 1314pF @ 13V
Rds On (max) a Id, Vgs 3.2mOhm @ 30A, 10V 3.2mOhm @ 30A, 10V 3.4mOhm @ 25A, 10V 3.2mOhm @ 30A, 10V
Serie HEXFET® FASTIRFET™ HEXFET® HEXFET®

IRFH4253DTRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFH4253DTRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFH4253DTRPBF - Infineon Technologies.

Packaging PCN
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf Packing Material Update 16/Sep/2016.pdf
PCN Design/Specifica
Mult Dev Label Chgs Aug/2020.pdf Mult Dev Lot Chgs 25/May/2021.pdf
Informazioni ambientali
PQFN 5x6 RoHS Compliance.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Backend Processing Site Transfer 20/Jan/2017.pdf

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Europa Germania 5
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Italia 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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