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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciIRFH4257DTRPBF
International Rectifier
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFH4257DTRPBF - International Rectifier

fabbricante Modello di prodotti
IRFH4257DTRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFH4257DTRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IRFH4257 - HEXFET POWER MOSFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerVDFN
Scheda dati
IRFH4257DTRPBF.pdf
In magazzino: 41240

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFH4257DTRPBF
Specifiche tecniche International Rectifier - IRFH4257DTRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad International Rectifier - IRFH4257DTRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.1V @ 35µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore Dual PQFN (5x4)  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 3.4mOhm @ 25A, 10V  
Potenza - Max 25W, 28W  
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1321pF @ 13V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 25V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 25A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base IRFH4257  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di International Rectifier IRFH4257DTRPBF

Proprietà del prodotto IRFH4257DTRPBF IRFH4255DTRPBF IRFH4251DTRPBF IRFH4253DTRPBF
Modello di prodotti IRFH4257DTRPBF IRFH4255DTRPBF IRFH4251DTRPBF IRFH4253DTRPBF
fabbricante International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1321pF @ 13V 1314pF @ 13V 1314pF @ 13V 1314pF @ 13V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 2.1V @ 35µA 2.1V @ 35µA 2.1V @ 35µA 2.1V @ 35µA
Numero di prodotto di base IRFH4257 IRFH4255 IRFH4251 IRFH4253
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual), Schottky 2 N-Channel (Dual)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie HEXFET® HEXFET® FASTIRFET™ HEXFET®
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 25A 64A, 105A 64A, 188A 64A, 145A
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss) 25V 25V 25V 25V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (max) a Id, Vgs 3.4mOhm @ 25A, 10V 3.2mOhm @ 30A, 10V 3.2mOhm @ 30A, 10V 3.2mOhm @ 30A, 10V
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Potenza - Max 25W, 28W 31W, 38W 31W, 63W 31W, 50W
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V 15nC @ 4.5V 15nC @ 4.5V 15nC @ 4.5V
Contenitore dispositivo fornitore Dual PQFN (5x4) PQFN (5x6) PG-TISON-8 PQFN (5x6)

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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