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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFH5004TR2PBF
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

IRFH5004TR2PBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFH5004TR2PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFH5004TR2PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 40V 28A 8VQFN
Pacchetto
8-PowerVDFN
Scheda dati
IRFH5004TR2PBF.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 5410

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFH5004TR2PBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFH5004TR2PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFH5004TR2PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 150µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-PQFN (5x6)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.6mOhm @ 50A, 10V  
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN  
Pacchetto Cut Tape (CT)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4490 pF @ 20 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 28A (Ta), 100A (Tc)  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFH5004TR2PBF

Proprietà del prodotto IRFH5004TR2PBF IRFH5004TRPBF IRFH5010TR2PBF IRFH5007TR2PBF
Modello di prodotti IRFH5004TR2PBF IRFH5004TRPBF IRFH5010TR2PBF IRFH5007TR2PBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4490 pF @ 20 V 4490 pF @ 20 V 4340 pF @ 25 V 4290 pF @ 25 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 150µA 4V @ 150µA 4V @ 150µA 4V @ 150µA
Serie - HEXFET® - HEXFET®
Contenitore dispositivo fornitore 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 2.6mOhm @ 50A, 10V 2.6mOhm @ 50A, 10V 9mOhm @ 50A, 10V 5.9mOhm @ 50A, 10V
Pacchetto Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Bulk
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 40 V 100 V 75 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 28A (Ta), 100A (Tc) 28A (Ta), 100A (Tc) 13A (Ta), 100A (Tc) 17A (Ta), 100A (Tc)
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

IRFH5004TR2PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFH5004TR2PBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFH5004TR2PBF - Infineon Technologies.

Assemblaggio/origine PCN
Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 13/Nov/2013.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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