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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFH4213TRPBF
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFH4213TRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFH4213TRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFH4213TRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 25V 41A PQFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
IRFH4213TRPBF.pdf
In magazzino: 4680

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFH4213TRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFH4213TRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFH4213TRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.1V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PQFN (5x6)  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.35mOhm @ 50A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.6W (Ta), 89W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3420 pF @ 13 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 25 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 41A (Ta)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFH4213TRPBF

Proprietà del prodotto IRFH4213TRPBF IRFH4201TRPBF IRFH3707TRPBF IRFH4209DTRPBF
Modello di prodotti IRFH4213TRPBF IRFH4201TRPBF IRFH3707TRPBF IRFH4209DTRPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3420 pF @ 13 V 6100 pF @ 13 V 755 pF @ 15 V 4620 pF @ 13 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 10 V 94 nC @ 10 V 8.1 nC @ 4.5 V 74 nC @ 10 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 41A (Ta) 49A (Ta) 12A (Ta), 29A (Tc) 44A (Ta), 260A (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Contenitore dispositivo fornitore PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (3x3) PQFN (5x6)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® FASTIRFET™, HEXFET®
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (max) a Id, Vgs 1.35mOhm @ 50A, 10V 0.95mOhm @ 50A, 10V 12.4mOhm @ 12A, 10V 1.1mOhm @ 50A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 3.6W (Ta), 89W (Tc) 3.5W (Ta), 156W (Tc) 2.8W (Ta) 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 25 V 25 V 30 V 25 V
Vgs (th) (max) a Id 2.1V @ 100µA 2.1V @ 150µA 2.35V @ 25µA 2.1V @ 100µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

IRFH4213TRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFH4213TRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFH4213TRPBF - Infineon Technologies.

Packaging PCN
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf Barcode Label Update 24/Feb/2017.pdf
Informazioni ambientali
PQFN 5x6 RoHS Compliance.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multi Mosfet EOL 2/Mar/2016.pdf

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Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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