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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFH3707TRPBF
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFH3707TRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFH3707TRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFH3707TRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 12A/29A 8PQFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerVDFN
Scheda dati
IRFH3707TRPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 216900

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFH3707TRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFH3707TRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFH3707TRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.35V @ 25µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-PQFN (3x3)  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 12.4mOhm @ 12A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.8W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 755 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.1 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Ta), 29A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRFH3707  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFH3707TRPBF

Proprietà del prodotto IRFH3707TRPBF IRFH4210DTRPBF IRFH3702TR2PBF IRFH4226TRPBF
Modello di prodotti IRFH3707TRPBF IRFH4210DTRPBF IRFH3702TR2PBF IRFH4226TRPBF
fabbricante Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.1 nC @ 4.5 V 77 nC @ 10 V 14 nC @ 4.5 V 32 nC @ 10 V
Vgs (th) (max) a Id 2.35V @ 25µA 2.1V @ 100µA 2.35V @ 25µA 2.1V @ 50µA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V - 4.5V, 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 25 V 30 V 25 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Numero di prodotto di base IRFH3707 IRFH4210 - IRFH4226
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) 2.8W (Ta) 3.5W (Ta), 125W (Tc) - 3.4W (Ta), 46W (Tc)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Ta), 29A (Tc) 44A (Ta) 16A (Ta), 42A (Tc) 30A (Ta), 70A (Tc)
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN
Serie HEXFET® HEXFET® - FASTIRFET™, HEXFET®
Contenitore dispositivo fornitore 8-PQFN (3x3) PQFN (5x6) 8-PQFN (3x3) 8-PQFN (5x6)
Rds On (max) a Id, Vgs 12.4mOhm @ 12A, 10V 1.1mOhm @ 50A, 10V 7.1mOhm @ 16A, 10V 2.4mOhm @ 30A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 755 pF @ 15 V 4812 pF @ 13 V 1510 pF @ 15 V 2000 pF @ 13 V

IRFH3707TRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFH3707TRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFH3707TRPBF - Infineon Technologies.

Packaging PCN
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf Mult Dev Lot No Format Chg 6/Apr/2018.pdf
PCN Design/Specifica
Mult Dev Label Chgs Aug/2020.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Mosfet Test/Fab Add 9/Oct/2017.pdf

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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