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IRF7105PBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF7105PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF7105PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
IRF7105PBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4090

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF7105PBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF7105PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF7105PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 100mOhm @ 1A, 10V  
Potenza - Max 2W  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 15V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 25V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A, 2.3A  
Configurazione N and P-Channel  
Numero di prodotto di base IRF71  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF7105PBF

Proprietà del prodotto IRF7105PBF IRF7105QTRPBF IRF7104PBF IRF7105TRPBF
Modello di prodotti IRF7105PBF IRF7105QTRPBF IRF7104PBF IRF7105TRPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Configurazione N and P-Channel N and P-Channel 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A, 2.3A 3.5A, 2.3A 2.3A 3.5A, 2.3A
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie HEXFET® - HEXFET® HEXFET®
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Tensione drain-source (Vdss) 25V 25V 20V 25V
Potenza - Max 2W 2W 2W 2W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 100mOhm @ 1A, 10V 100mOhm @ 1A, 10V 250mOhm @ 1A, 10V 100mOhm @ 1A, 10V
Numero di prodotto di base IRF71 IRF71 IRF71 IRF71
Caratteristica FET - - Logic Level Gate -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 15V 330pF @ 15V 290pF @ 15V 330pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V 27nC @ 10V 25nC @ 10V 27nC @ 10V
Pacchetto Tube Cut Tape (CT) Tube Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IRF7105PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF7105PBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF7105PBF - Infineon Technologies.

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