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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciIRF7104TRPBF
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF7104TRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF7104TRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF7104TRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
IRF7104TRPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 76770

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF7104TRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF7104TRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF7104TRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 250mOhm @ 1A, 10V  
Potenza - Max 2W  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 15V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.3A  
Configurazione 2 P-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base IRF71  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF7104TRPBF

Proprietà del prodotto IRF7104TRPBF IRF7103TRPBF IRF7105QTRPBF IRF7104PBF
Modello di prodotti IRF7104TRPBF IRF7103TRPBF IRF7105QTRPBF IRF7104PBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Caratteristica FET Logic Level Gate - - Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss) 20V 50V 25V 20V
Potenza - Max 2W 2W 2W 2W
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tube
Serie HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Rds On (max) a Id, Vgs 250mOhm @ 1A, 10V 130mOhm @ 3A, 10V 100mOhm @ 1A, 10V 250mOhm @ 1A, 10V
Numero di prodotto di base IRF71 IRF71 IRF71 IRF71
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Configurazione 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel 2 P-Channel (Dual)
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 15V 290pF @ 25V 330pF @ 15V 290pF @ 15V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.3A 3A 3.5A, 2.3A 2.3A
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V 30nC @ 10V 27nC @ 10V 25nC @ 10V

IRF7104TRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF7104TRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF7104TRPBF - Infineon Technologies.

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