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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF7103TRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF7103TRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF7103TRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
IRF7103TRPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 92000

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF7103TRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF7103TRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF7103TRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 130mOhm @ 3A, 10V  
Potenza - Max 2W  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 50V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base IRF71  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF7103TRPBF

Proprietà del prodotto IRF7103TRPBF IRF7103PBF IRF7104PBF IRF7103QTRPBF
Modello di prodotti IRF7103TRPBF IRF7103PBF IRF7104PBF IRF7103QTRPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Numero di prodotto di base IRF71 IRF71 IRF71 IRF71
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A 3A 2.3A 3A
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Caratteristica FET - - Logic Level Gate -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 25V 290pF @ 25V 290pF @ 15V 255pF @ 25V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V 30nC @ 10V 25nC @ 10V 15nC @ 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tube Cut Tape (CT)
Potenza - Max 2W 2W 2W 2.4W
Rds On (max) a Id, Vgs 130mOhm @ 3A, 10V 130mOhm @ 3A, 10V 250mOhm @ 1A, 10V 130mOhm @ 3A, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 50V 50V 20V 50V

IRF7103TRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF7103TRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF7103TRPBF - Infineon Technologies.

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