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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF6798MTRPBF
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF6798MTRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF6798MTRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF6798MTRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
DirectFET™ Isometric MX
Scheda dati
IRF6798M(TR)PbF.pdf
In magazzino: 4290

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF6798MTRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF6798MTRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF6798MTRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.35V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore DIRECTFET™ MX  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.3mOhm @ 37A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.8W (Ta), 78W (Tc)  
Contenitore / involucro DirectFET™ Isometric MX  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6560 pF @ 13 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 75 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET Schottky Diode (Body)  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 25 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 37A (Ta), 197A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF6798MTRPBF

Proprietà del prodotto IRF6798MTRPBF IRF6775MTR1PBF IRF6795MTRPBF IRF6775MTRPBF
Modello di prodotti IRF6798MTRPBF IRF6775MTR1PBF IRF6795MTRPBF IRF6775MTRPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 37A (Ta), 197A (Tc) 4.9A (Ta), 28A (Tc) 32A (Ta), 160A (Tc) 4.9A (Ta), 28A (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Dissipazione di potenza (max) 2.8W (Ta), 78W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 75W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 1.3mOhm @ 37A, 10V 56mOhm @ 5.6A, 10V 1.8mOhm @ 32A, 10V 56mOhm @ 5.6A, 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Caratteristica FET Schottky Diode (Body) - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Contenitore dispositivo fornitore DIRECTFET™ MX DIRECTFET™ MZ DIRECTFET™ MX DIRECTFET™ MZ
Tensione drain-source (Vdss) 25 V 150 V 25 V 150 V
Vgs (th) (max) a Id 2.35V @ 150µA 5V @ 100µA 2.35V @ 100µA 5V @ 100µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6560 pF @ 13 V 1411 pF @ 25 V 4280 pF @ 13 V 1411 pF @ 25 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 75 nC @ 4.5 V 36 nC @ 10 V 53 nC @ 4.5 V 36 nC @ 10 V
Contenitore / involucro DirectFET™ Isometric MX DirectFET™ Isometric MZ DirectFET™ Isometric MX DirectFET™ Isometric MZ

IRF6798MTRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF6798MTRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF6798MTRPBF - Infineon Technologies.

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