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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF6797MTRPBF
International Rectifier
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF6797MTRPBF - International Rectifier

fabbricante Modello di prodotti
IRF6797MTRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF6797MTRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 25V 36A/210A DIRECT
Descrizione dettagliata
Pacchetto
DirectFET™ Isometric MX
Scheda dati
IRF6797MTRPBF.pdf
In magazzino: 39318

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF6797MTRPBF
Specifiche tecniche International Rectifier - IRF6797MTRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad International Rectifier - IRF6797MTRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.35V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore DIRECTFET™ MX  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.4mOhm @ 38A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)  
Contenitore / involucro DirectFET™ Isometric MX  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5790 pF @ 13 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 25 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 36A (Ta), 210A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di International Rectifier IRF6797MTRPBF

Proprietà del prodotto IRF6797MTRPBF IRF6727MTR1PBF IRF6811STRPBF IRF6810STRPBF
Modello di prodotti IRF6797MTRPBF IRF6727MTR1PBF IRF6811STRPBF IRF6810STRPBF
fabbricante International Rectifier Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore / involucro DirectFET™ Isometric MX DirectFET™ Isometric MX DirectFET™ Isometric SQ DirectFET™ Isometric S1
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore dispositivo fornitore DIRECTFET™ MX DIRECTFET™ MX DirectFET™ Isometric SQ DIRECTFET S1
Vgs (Max) ±20V ±20V ±16V ±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5790 pF @ 13 V 6190 pF @ 15 V 1590 pF @ 13 V 1038 pF @ 13 V
Serie HEXFET® HEXFET® DirectFET® HEXFET®
Dissipazione di potenza (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.1W (Ta), 32W (Tc) 2.1W (Ta), 20W (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 1.4mOhm @ 38A, 10V 1.7mOhm @ 32A, 10V 3.7mOhm @ 19A, 10V 5.2mOhm @ 16A, 10V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V - 4.5V, 10V
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 36A (Ta), 210A (Tc) 32A (Ta), 180A (Tc) 19A (Ta), 74A (Tc) 16A (Ta), 50A (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 2.35V @ 150µA 2.35V @ 100µA 2.1V @ 35µA 2.1V @ 25µA
Tensione drain-source (Vdss) 25 V 30 V 25 V 25 V
Caratteristica FET - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 4.5 V 74 nC @ 4.5 V 17 nC @ 4.5 V 11 nC @ 4.5 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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