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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF6775MTR1PBF
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF6775MTR1PBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF6775MTR1PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF6775MTR1PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
DirectFET™ Isometric MZ
Scheda dati
IRF6775MTR1PBF.pdf
In magazzino: 4490

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF6775MTR1PBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF6775MTR1PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF6775MTR1PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore DIRECTFET™ MZ  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 56mOhm @ 5.6A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)  
Contenitore / involucro DirectFET™ Isometric MZ  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1411 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 150 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.9A (Ta), 28A (Tc)  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF6775MTR1PBF

Proprietà del prodotto IRF6775MTR1PBF IRF6727MTRPBF IRF6795MTRPBF IRF6726MTRPBF
Modello di prodotti IRF6775MTR1PBF IRF6727MTRPBF IRF6795MTRPBF IRF6726MTRPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 56mOhm @ 5.6A, 10V 1.7mOhm @ 32A, 10V 1.8mOhm @ 32A, 10V 1.7mOhm @ 32A, 10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V 74 nC @ 4.5 V 53 nC @ 4.5 V 77 nC @ 4.5 V
Caratteristica FET - - - -
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Contenitore dispositivo fornitore DIRECTFET™ MZ DIRECTFET™ MX DIRECTFET™ MX DIRECTFET™ MT
Dissipazione di potenza (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 75W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.9A (Ta), 28A (Tc) 32A (Ta), 180A (Tc) 32A (Ta), 160A (Tc) 32A (Ta), 180A (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 100µA 2.35V @ 100µA 2.35V @ 100µA 2.35V @ 150µA
Tensione drain-source (Vdss) 150 V 30 V 25 V 30 V
Contenitore / involucro DirectFET™ Isometric MZ DirectFET™ Isometric MX DirectFET™ Isometric MX DirectFET™ Isometric MT
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1411 pF @ 25 V 6190 pF @ 15 V 4280 pF @ 13 V 6140 pF @ 15 V

IRF6775MTR1PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF6775MTR1PBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF6775MTR1PBF - Infineon Technologies.

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