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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF6811STRPBF
International Rectifier
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF6811STRPBF - International Rectifier

fabbricante Modello di prodotti
IRF6811STRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF6811STRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 25V 19A/74A DIRECTFT
Descrizione dettagliata
Pacchetto
DirectFET™ Isometric SQ
Scheda dati
IRF6811STRPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 66410

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF6811STRPBF
Specifiche tecniche International Rectifier - IRF6811STRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad International Rectifier - IRF6811STRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.1V @ 35µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore DirectFET™ Isometric SQ  
Serie DirectFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 3.7mOhm @ 19A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.1W (Ta), 32W (Tc)  
Contenitore / involucro DirectFET™ Isometric SQ  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1590 pF @ 13 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 25 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 19A (Ta), 74A (Tc)  

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Modello di prodotti IRF6811STRPBF IRF6797MTRPBF IRF6798MTR1PBF IRF710
fabbricante International Rectifier International Rectifier Infineon Technologies onsemi
Contenitore dispositivo fornitore DirectFET™ Isometric SQ DIRECTFET™ MX DIRECTFET™ MX TO-220AB
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 2.1V @ 35µA 2.35V @ 150µA 2.35V @ 150µA 4V @ 250µA
Caratteristica FET - - Schottky Diode (Body) -
Serie DirectFET® HEXFET® HEXFET® -
Tensione drain-source (Vdss) 25 V 25 V 25 V 400 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Vgs (Max) ±16V ±20V ±20V ±20V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 19A (Ta), 74A (Tc) 36A (Ta), 210A (Tc) 37A (Ta), 197A (Tc) 2A (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 4.5 V 68 nC @ 4.5 V 75 nC @ 4.5 V 17 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1590 pF @ 13 V 5790 pF @ 13 V 6560 pF @ 13 V 170 pF @ 25 V
Pacchetto Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Tube
Contenitore / involucro DirectFET™ Isometric SQ DirectFET™ Isometric MX DirectFET™ Isometric MX TO-220-3
Dissipazione di potenza (max) 2.1W (Ta), 32W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 78W (Tc) 36W (Tc)
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 3.7mOhm @ 19A, 10V 1.4mOhm @ 38A, 10V 1.3mOhm @ 37A, 10V 3.6Ohm @ 1.2A, 10V

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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