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IR2125STRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IR2125STRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IR2125STRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 16SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
16-SOIC (0.295', 7.50mm Width)
Scheda dati
IR2125STRPBF Datasheet.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 12074

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IR2125STRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IR2125STRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IR2125STRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Tensione di alimentazione - 0V ~ 18V  
Contenitore dispositivo fornitore 16-SOIC  
Serie -  
Tempo di salita / scadenza (Typ) 43ns, 26ns  
Contenitore / involucro 16-SOIC (0.295', 7.50mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Frequenza di ingresso 1  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.2V  
Tipo di ingresso Non-Inverting  
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 500 V  
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET  
Configurazione guidata High-Side  
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 1.6A, 3.3A  
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Single  
Numero di prodotto di base IR2125  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IR2125STRPBF

Proprietà del prodotto IR2125STRPBF IR2127 IR21271SPBF IR2125S
Modello di prodotti IR2125STRPBF IR2127 IR21271SPBF IR2125S
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Contenitore dispositivo fornitore 16-SOIC 8-PDIP 8-SOIC 16-SOIC
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione guidata High-Side High-Side or Low-Side High-Side or Low-Side High-Side
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Serie - - - -
Frequenza di ingresso 1 1 1 1
Tensione di alimentazione - 0V ~ 18V 12V ~ 20V 9V ~ 20V 0V ~ 18V
Tempo di salita / scadenza (Typ) 43ns, 26ns 80ns, 40ns 80ns, 40ns 43ns, 26ns
Contenitore / involucro 16-SOIC (0.295', 7.50mm Width) 8-DIP (0.300', 7.62mm) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Numero di prodotto di base IR2125 IR2127 IR21271 IR2125
Tipo di ingresso Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.2V 0.8V, 3V 0.8V, 3V 0.8V, 2.2V
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 500 V 600 V 600 V 500 V
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Single Single Single Single
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 1.6A, 3.3A 250mA, 500mA 250mA, 500mA 1.6A, 3.3A
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube

IR2125STRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IR2125STRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IR2125STRPBF - Infineon Technologies.

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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