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IR2127PBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IR2127PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IR2127PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DIP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Scheda dati
IR2128SPBF Datasheet.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 10542

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IR2127PBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IR2127PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IR2127PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Tensione di alimentazione - 12V ~ 20V  
Contenitore dispositivo fornitore 8-PDIP  
Serie -  
Tempo di salita / scadenza (Typ) 80ns, 40ns  
Contenitore / involucro 8-DIP (0.300", 7.62mm)  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Frequenza di ingresso 1  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Through Hole  
Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 3V  
Tipo di ingresso Non-Inverting  
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 600 V  
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET  
Configurazione guidata High-Side or Low-Side  
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 250mA, 500mA  
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Single  
Numero di prodotto di base IR2127  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IR2127PBF

Proprietà del prodotto IR2127PBF IR2128STRPBF IR21271S IR2127
Modello di prodotti IR2127PBF IR2128STRPBF IR21271S IR2127
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 3V 0.8V, 3V 0.8V, 3V 0.8V, 3V
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
Configurazione guidata High-Side or Low-Side High-Side or Low-Side High-Side or Low-Side High-Side or Low-Side
Tipo di ingresso Non-Inverting Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Serie - - - -
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
Contenitore / involucro 8-DIP (0.300", 7.62mm) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-DIP (0.300', 7.62mm)
Contenitore dispositivo fornitore 8-PDIP 8-SOIC 8-SOIC 8-PDIP
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Tempo di salita / scadenza (Typ) 80ns, 40ns 80ns, 40ns 80ns, 40ns 80ns, 40ns
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Single Single Single Single
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 250mA, 500mA 250mA, 500mA 250mA, 500mA 250mA, 500mA
Numero di prodotto di base IR2127 IR2128 IR21271 IR2127
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V
Tensione di alimentazione - 12V ~ 20V 12V ~ 20V 9V ~ 20V 12V ~ 20V
Frequenza di ingresso 1 1 1 1

IR2127PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IR2127PBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IR2127PBF - Infineon Technologies.

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Schede tecniche
IR2128SPBF Datasheet.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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