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IR21271STRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IR21271STRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IR21271STRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Scheda dati
Cylindrical Battery Holders.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 25839

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IR21271STRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IR21271STRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IR21271STRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Tensione di alimentazione - 9V ~ 20V  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie -  
Tempo di salita / scadenza (Typ) 80ns, 40ns  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Frequenza di ingresso 1  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 3V  
Tipo di ingresso Non-Inverting  
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 600 V  
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET  
Configurazione guidata High-Side or Low-Side  
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 250mA, 500mA  
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Single  
Numero di prodotto di base IR21271  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IR21271STRPBF

Proprietà del prodotto IR21271STRPBF IR2127STRPBF IR2128STRPBF IR2130
Modello di prodotti IR21271STRPBF IR2127STRPBF IR2128STRPBF IR2130
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 3V 0.8V, 3V 0.8V, 3V 0.8V, 2.2V
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 28-DIP (0.600", 15.24mm)
Tipo di ingresso Non-Inverting Non-Inverting Inverting Inverting
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 28-PDIP
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Serie - - - -
Tempo di salita / scadenza (Typ) 80ns, 40ns 80ns, 40ns 80ns, 40ns 80ns, 35ns
Configurazione guidata High-Side or Low-Side High-Side or Low-Side High-Side or Low-Side Half-Bridge
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 250mA, 500mA 250mA, 500mA 250mA, 500mA 250mA, 500mA
Frequenza di ingresso 1 1 1 6
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Single Single Single 3-Phase
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Numero di prodotto di base IR21271 IR2127 IR2128 IR2130
Tensione di alimentazione - 9V ~ 20V 12V ~ 20V 12V ~ 20V 10V ~ 20V

IR21271STRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IR21271STRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IR21271STRPBF - Infineon Technologies.

Altri documenti correlati
Part Number Guide.pdf
Schede tecniche
Cylindrical Battery Holders.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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