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IR2125S - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IR2125S
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IR2125S
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 16SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Scheda dati
IR2125STRPBF Datasheet.pdf
In magazzino: 4870

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IR2125S
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IR2125S, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IR2125S

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Tensione di alimentazione - 0V ~ 18V  
Contenitore dispositivo fornitore 16-SOIC  
Serie -  
Tempo di salita / scadenza (Typ) 43ns, 26ns  
Contenitore / involucro 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Frequenza di ingresso 1  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.2V  
Tipo di ingresso Non-Inverting  
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 500 V  
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET  
Configurazione guidata High-Side  
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 1.6A, 3.3A  
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Single  
Numero di prodotto di base IR2125  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IR2125S

Proprietà del prodotto IR2125S IR2118STRPBF IR2118SPBF IR21271
Modello di prodotti IR2125S IR2118STRPBF IR2118SPBF IR21271
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Contenitore / involucro 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-DIP (0.300', 7.62mm)
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Single Single Single Single
Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.2V 6V, 9.5V 6V, 9.5V 0.8V, 3V
Numero di prodotto di base IR2125 IR2118 IR2118 IR21271
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Frequenza di ingresso 1 1 1 1
Serie - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Tensione di alimentazione - 0V ~ 18V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 9V ~ 20V
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
Configurazione guidata High-Side High-Side High-Side High-Side or Low-Side
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 1.6A, 3.3A 250mA, 500mA 250mA, 500mA 250mA, 500mA
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 500 V 600 V 600 V 600 V
Tipo di ingresso Non-Inverting Inverting Inverting Non-Inverting
Contenitore dispositivo fornitore 16-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-PDIP
Tempo di salita / scadenza (Typ) 43ns, 26ns 80ns, 40ns 80ns, 40ns 80ns, 40ns

IR2125S Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IR2125S PDF e la documentazione Infineon Technologies per IR2125S - Infineon Technologies.

Altri documenti correlati
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Foglio dati HTML
IR2125STRPBF Datasheet.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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