Specifiche
Specifiche tecnologiche BSV236SPH6327XTSA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - BSV236SPH6327XTSA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - BSV236SPH6327XTSA1
| Proprietà del prodotto |
Valori degli attributi
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| fabbricante |
Infineon Technologies |
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| Vgs (th) (max) a Id |
1.2V @ 8µA |
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| Vgs (Max) |
±12V |
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| Tecnologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
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| Contenitore dispositivo fornitore |
PG-SOT363-PO |
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| Serie |
OptiMOS™ |
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| Rds On (max) a Id, Vgs |
175mOhm @ 1.5A, 4.5V |
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| Dissipazione di potenza (max) |
560mW (Ta) |
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| Contenitore / involucro |
6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
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| Pacchetto |
Tape & Reel (TR) |
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| Proprietà del prodotto |
Valori degli attributi
| |
| temperatura di esercizio |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
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| Tipo montaggio |
Surface Mount |
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| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
228 pF @ 15 V |
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| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs |
5.7 nC @ 4.5 V |
|
| Tipo FET |
P-Channel |
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| Caratteristica FET |
- |
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| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) |
2.5V, 4.5V |
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| Tensione drain-source (Vdss) |
20 V |
|
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C |
1.5A (Ta) |
|
| Numero di prodotto di base |
BSV236 |
|
Metodo di spedizione
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| Paesi comuni Riferimento del tempo logistico |
| Regione |
Paese |
Tempo logistico (giorno) |
| America |
stati Uniti |
5 |
| Brasile |
7 |
| Europa |
Germania |
5 |
| Regno Unito |
4 |
| Italia |
5 |
| Oceania |
Australia |
6 |
| Nuova Zelanda |
5 |
| Asia |
India |
4 |
| Giappone |
4 |
| Medio Oriente |
Israele |
6 |
| DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento |
| Accuse di spedizione (kg) |
Riferimento DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Nota:
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BSV236SP H6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
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CSD22205LTTexas InstrumentsMOSFET P-CH 8V 7.4A 4PICOSTAR
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BSV52LT1GonsemiTRANS NPN 12V 0.1A SOT23-3
SIR404DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
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