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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDD2612
FDD2612 Image
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OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

FDD2612 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDD2612
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDD2612
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 200V 4.9A TO252
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
FDD2612.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 4230

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Specifiche

Specifiche tecnologiche FDD2612
Specifiche tecniche onsemi - FDD2612, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDD2612

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-252AA  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 720mOhm @ 1.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 42W (Ta)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 234 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.9A (Ta)  
Numero di prodotto di base FDD261  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDD2612

Proprietà del prodotto FDD2612 FDD2582 FDD2582 FDD26AN06A0
Modello di prodotti FDD2612 FDD2582 FDD2582 FDD26AN06A0
fabbricante onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tensione drain-source (Vdss) 200 V 150 V 150 V 60 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-252AA TO-252AA TO-252, (D-Pak) TO-252AA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.9A (Ta) 3.7A (Ta), 21A (Tc) 3.7A (Ta), 21A (Tc) 7A (Ta), 36A (Tc)
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base FDD261 FDD258 - FDD26
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 6V, 10V 6V, 10V 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 234 pF @ 100 V 1295 pF @ 25 V 1295 pF @ 25 V 800 pF @ 25 V
Rds On (max) a Id, Vgs 720mOhm @ 1.5A, 10V 66mOhm @ 7A, 10V 66mOhm @ 7A, 10V 26mOhm @ 36A, 10V
Caratteristica FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Dissipazione di potenza (max) 42W (Ta) 95W (Tc) 95W (Tc) 75W (Tc)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

FDD2612 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDD2612 PDF e la documentazione onsemi per FDD2612 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
FDD2612.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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