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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singoloBSV52LT1G
BSV52LT1G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BSV52LT1G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
BSV52LT1G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-BSV52LT1G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS NPN 12V 0.1A SOT23-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
BSV52LT1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 450100

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche BSV52LT1G
Specifiche tecniche onsemi - BSV52LT1G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - BSV52LT1G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 12 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA  
Tipo transistor NPN  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236)  
Serie -  
Potenza - Max 225 mW  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Frequenza - transizione 400MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 10mA, 1V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA (ICBO)  
Corrente - collettore (Ic) (max) 100 mA  
Numero di prodotto di base BSV52  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi BSV52LT1G

Proprietà del prodotto BSV52LT1G 2SA2011-TD-E 2N4033 JANTX2N6284
Modello di prodotti BSV52LT1G 2SA2011-TD-E 2N4033 JANTX2N6284
fabbricante onsemi onsemi onsemi MACOM Technology Solutions
Corrente - collettore (Ic) (max) 100 mA - 1 A 20 A
Frequenza - transizione 400MHz - - -
Serie - * - Military, MIL-PRF-19500/504
Numero di prodotto di base BSV52 - 2N403 -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) - - -65°C ~ 200°C (TJ)
Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA (ICBO) - - 1mA
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA - 1V @ 100mA, 1A 3V @ 200mA, 20A
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 10mA, 1V - 75 @ 100µA, 5V 1250 @ 10A, 3V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Bulk
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 12 V - 80 V 100 V
Tipo transistor NPN - PNP NPN - Darlington
Tipo montaggio Surface Mount - Through Hole Through Hole
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 - TO-205AD, TO-39-3 Metal Can TO-204AA, TO-3
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236) - TO-39 TO-204AA (TO-3)
Potenza - Max 225 mW - 800 mW 175 W

BSV52LT1G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BSV52LT1G PDF e la documentazione onsemi per BSV52LT1G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
SOT23 16/Sep/2016.pdf Copper Wire 08/Jun/2009.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mold Compound 02/Apr/2020.pdf
Schede tecniche
BSV52LT1.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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