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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAUIRLU3110Z
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AUIRLU3110Z - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
AUIRLU3110Z
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-AUIRLU3110Z
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 42A IPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Scheda dati
AUIRL(R,U)3110Z.pdf
In magazzino: 3850

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AUIRLU3110Z
Specifiche tecniche Infineon Technologies - AUIRLU3110Z, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - AUIRLU3110Z

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 100µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 14mOhm @ 38A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 140W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3980 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 42A (Tc)  
Numero di prodotto di base AUIRLU3110  

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Proprietà del prodotto AUIRLU3110Z AUIRLS3036-7P AUIRLZ44Z AUIRLS4030-7TRL
Modello di prodotti AUIRLU3110Z AUIRLS3036-7P AUIRLZ44Z AUIRLS4030-7TRL
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Numero di prodotto di base AUIRLU3110 - - AUIRLS4030
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 42A (Tc) 240A (Tc) 51A (Tc) 190A (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3980 pF @ 25 V 11270 pF @ 50 V 1620 pF @ 25 V 11490 pF @ 50 V
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK D2PAK (7-Lead) TO-220AB D2PAK (7-Lead)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 60 V 55 V 100 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 4.5 V 160 nC @ 4.5 V 36 nC @ 5 V 140 nC @ 4.5 V
Dissipazione di potenza (max) 140W (Tc) 380W (Tc) 80W (Tc) 370W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 100µA 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-220-3 TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Rds On (max) a Id, Vgs 14mOhm @ 38A, 10V 1.9mOhm @ 180A, 10V 13.5mOhm @ 31A, 10V 3.9mOhm @ 110A, 10V
Pacchetto Tube Tube Bulk Tape & Reel (TR)

AUIRLU3110Z Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AUIRLU3110Z PDF e la documentazione Infineon Technologies per AUIRLU3110Z - Infineon Technologies.

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