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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAUIRLS3036-7P
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AUIRLS3036-7P - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
AUIRLS3036-7P
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-AUIRLS3036-7P
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Scheda dati
AUIRLS3036-7P.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5250

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AUIRLS3036-7P
Specifiche tecniche Infineon Technologies - AUIRLS3036-7P, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - AUIRLS3036-7P

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK (7-Lead)  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.9mOhm @ 180A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 380W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 11270 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 160 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 240A (Tc)  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies AUIRLS3036-7P

Proprietà del prodotto AUIRLS3036-7P AUIRLS4030 AUIRLR3915 AUIRLS3034
Modello di prodotti AUIRLS3036-7P AUIRLS4030 AUIRLR3915 AUIRLS3034
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 240A (Tc) 180A (Tc) 30A (Tc) 195A (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 100 V 55 V 40 V
Dissipazione di potenza (max) 380W (Tc) 370W (Tc) 120W (Tc) 375W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 5V, 10V 4.5V, 10V
Serie HEXFET® Automotive, AEC-Q101, HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 1.9mOhm @ 180A, 10V 4.3mOhm @ 110A, 10V 14mOhm @ 30A, 10V 1.7mOhm @ 195A, 10V
Contenitore / involucro TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 160 nC @ 4.5 V 130 nC @ 4.5 V 92 nC @ 10 V 162 nC @ 4.5 V
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK (7-Lead) PG-TO263-3 D-PAK (TO-252AA) D2PAK
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 11270 pF @ 50 V 11360 pF @ 50 V 1870 pF @ 25 V 10315 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tube Tube Tube Bulk
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

AUIRLS3036-7P Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AUIRLS3036-7P PDF e la documentazione Infineon Technologies per AUIRLS3036-7P - Infineon Technologies.

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