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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAUIRLS4030-7TRL
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AUIRLS4030-7TRL - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
AUIRLS4030-7TRL
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-AUIRLS4030-7TRL
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Scheda dati
AUIRLS4030-7TRL.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3620

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AUIRLS4030-7TRL
Specifiche tecniche Infineon Technologies - AUIRLS4030-7TRL, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - AUIRLS4030-7TRL

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK (7-Lead)  
Serie Automotive, AEC-Q101, HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 3.9mOhm @ 110A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 370W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 11490 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 190A (Tc)  
Numero di prodotto di base AUIRLS4030  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies AUIRLS4030-7TRL

Proprietà del prodotto AUIRLS4030-7TRL AUIRLU3110Z AUIRLS3034-7P AUIRLS4030
Modello di prodotti AUIRLS4030-7TRL AUIRLU3110Z AUIRLS3034-7P AUIRLS4030
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V - 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 11490 pF @ 50 V 3980 pF @ 25 V 10990 pF @ 40 V 11360 pF @ 50 V
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 100 V 40 V 100 V
Numero di prodotto di base AUIRLS4030 AUIRLU3110 - AUIRLS4030
Dissipazione di potenza (max) 370W (Tc) 140W (Tc) 380W (Tc) 370W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 190A (Tc) 42A (Tc) 240A (Tc) 180A (Tc)
Vgs (Max) ±16V - ±20V ±16V
Serie Automotive, AEC-Q101, HEXFET® HEXFET® HEXFET® Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 100µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Bulk Tube
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Contenitore / involucro TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK (7-Lead) I-PAK D2PAK (7-Lead) PG-TO263-3
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 4.5 V 48 nC @ 4.5 V 180 nC @ 4.5 V 130 nC @ 4.5 V
Rds On (max) a Id, Vgs 3.9mOhm @ 110A, 10V 14mOhm @ 38A, 10V 1.4mOhm @ 200A, 10V 4.3mOhm @ 110A, 10V

AUIRLS4030-7TRL Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AUIRLS4030-7TRL PDF e la documentazione Infineon Technologies per AUIRLS4030-7TRL - Infineon Technologies.

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