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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAUIRLU2905
International Rectifier
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

AUIRLU2905 - International Rectifier

fabbricante Modello di prodotti
AUIRLU2905
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-AUIRLU2905
Modello ECAD
Descrizione delle parti
AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL
Pacchetto
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Scheda dati
AUIRLU2905.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 4540

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche AUIRLU2905
Specifiche tecniche International Rectifier - AUIRLU2905, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad International Rectifier - AUIRLU2905

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 27mOhm @ 25A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 110W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 55 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 42A (Tc)  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di International Rectifier AUIRLU2905

Proprietà del prodotto AUIRLU2905 AUIRLZ44Z AUIRLU024Z AUIRLS4030
Modello di prodotti AUIRLU2905 AUIRLZ44Z AUIRLU024Z AUIRLS4030
fabbricante International Rectifier International Rectifier International Rectifier Infineon Technologies
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
Pacchetto Bulk Bulk Bulk Tube
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 25 V 1620 pF @ 25 V 380 pF @ 25 V 11360 pF @ 50 V
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK TO-220AB I-PAK PG-TO263-3
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 55 V 55 V 55 V 100 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 5 V 36 nC @ 5 V 9.9 nC @ 5 V 130 nC @ 4.5 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-220-3 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dissipazione di potenza (max) 110W (Tc) 80W (Tc) 35W (Tc) 370W (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 27mOhm @ 25A, 10V 13.5mOhm @ 31A, 10V 58mOhm @ 9.6A, 10V 4.3mOhm @ 110A, 10V
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 42A (Tc) 51A (Tc) 16A (Tc) 180A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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