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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciDMN2004DWKQ-7
DMN2004DWKQ-7 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DMN2004DWKQ-7 - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DMN2004DWKQ-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DMN2004DWKQ-7
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2NCH 20V 540MA SOT363
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Scheda dati
DMN2004DWKQ-7.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 510400

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Specifiche

Specifiche tecnologiche DMN2004DWKQ-7
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DMN2004DWKQ-7, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DMN2004DWKQ-7

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-363  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (max) a Id, Vgs 550mOhm @ 540mA, 4.5V  
Potenza - Max 200mW  
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 16V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.95nC @ 8V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 540mA (Ta)  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base DMN2004  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DMN2004DWKQ-7

Proprietà del prodotto DMN2004DWKQ-7 DMN2004VK-7 DMN1150UFL3-7 DMN2004DWK-7
Modello di prodotti DMN2004DWKQ-7 DMN2004VK-7 DMN1150UFL3-7 DMN2004DWK-7
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.95nC @ 8V - 1.4nC @ 4.5V -
Contenitore dispositivo fornitore SOT-363 SOT-563 X2-DFN1310-6 (Type B) SOT-363
Rds On (max) a Id, Vgs 550mOhm @ 540mA, 4.5V 550mOhm @ 540mA, 4.5V 150mOhm @ 1A, 4.5V 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Serie Automotive, AEC-Q101 - Automotive, AEC-Q101 -
Tensione drain-source (Vdss) 20V 20V 12V 20V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 540mA (Ta) 540mA 2A 540mA
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SOT-563, SOT-666 6-XFDFN Exposed Pad 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Numero di prodotto di base DMN2004 DMN2004 DMN1150 DMN2004
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Potenza - Max 200mW 250mW 390mW 200mW
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 16V 150pF @ 16V 115pF @ 6V 150pF @ 16V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ)
Caratteristica FET - Logic Level Gate - Logic Level Gate
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA

DMN2004DWKQ-7 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DMN2004DWKQ-7 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DMN2004DWKQ-7 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev 04/Dec/2020.pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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