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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciSI1563EDH-T1-GE3
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SI1563EDH-T1-GE3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SI1563EDH-T1-GE3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SI1563EDH-T1-GE3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Scheda dati
SI1563EDH.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4650

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Specifiche

Specifiche tecnologiche SI1563EDH-T1-GE3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SI1563EDH-T1-GE3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SI1563EDH-T1-GE3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 100µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SC-70-6  
Serie TrenchFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 280mOhm @ 1.13A, 4.5V  
Potenza - Max 570mW  
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.13A, 880mA  
Configurazione N and P-Channel  
Numero di prodotto di base SI1563  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SI1563EDH-T1-GE3

Proprietà del prodotto SI1563EDH-T1-GE3 SI1563DH-T1-E3 SI1563EDH-T1-E3 SI1557DH-T1-E3
Modello di prodotti SI1563EDH-T1-GE3 SI1563DH-T1-E3 SI1563EDH-T1-E3 SI1557DH-T1-E3
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Potenza - Max 570mW 570mW 570mW 470mW
Configurazione N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 20V 20V 20V 12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (max) a Id, Vgs 280mOhm @ 1.13A, 4.5V 280mOhm @ 1.13A, 4.5V 280mOhm @ 1.13A, 4.5V 235mOhm @ 1.2A, 4.5V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Numero di prodotto di base SI1563 SI1563 SI1563 SI1557
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 100µA 1V @ 100µA 1V @ 100µA 1V @ 100µA
Contenitore dispositivo fornitore SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.13A, 880mA 1.13A, 880mA 1.13A, 880mA 1.2A, 770mA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1nC @ 4.5V 2nC @ 4.5V 1nC @ 4.5V 1.2nC @ 4.5V

SI1563EDH-T1-GE3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SI1563EDH-T1-GE3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SI1563EDH-T1-GE3 - Vishay Siliconix.

Informazioni ambientali
Material Compliance.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
PCN- SIL-0582013 05/Dec/2013.pdf
Schede tecniche
SI1563EDH.pdf

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