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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNVMFD6H852NLWFT1G
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NVMFD6H852NLWFT1G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NVMFD6H852NLWFT1G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NVMFD6H852NLWFT1G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
NVMFD6H852NL.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 59940

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Specifiche

Specifiche tecnologiche NVMFD6H852NLWFT1G
Specifiche tecniche onsemi - NVMFD6H852NLWFT1G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NVMFD6H852NLWFT1G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 26µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (max) a Id, Vgs 25.5mOhm @ 10A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.2W (Ta), 38W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 521 pF @ 40 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 80 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7A (Ta), 25A (Tc)  
Numero di prodotto di base NVMFD6  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NVMFD6H852NLWFT1G

Proprietà del prodotto NVMFD6H852NLWFT1G NVMFS015N10MCLT1G NVMFS4841NWFT1G NVMFS4C01NT3G
Modello di prodotti NVMFD6H852NLWFT1G NVMFS015N10MCLT1G NVMFS4841NWFT1G NVMFS4C01NT3G
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Serie Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 26µA 2.2V @ 282µA 2.5V @ 250µA 2.2V @ 250µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (max) a Id, Vgs 25.5mOhm @ 10A, 10V 12.2mOhm @ 14A, 10V 7mOhm @ 30A, 10V 0.9mOhm @ 30A, 10V
Contenitore dispositivo fornitore 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7A (Ta), 25A (Tc) 10.5A (Ta), 54A (Tc) 16A (Ta) 49A (Ta), 319A (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 521 pF @ 40 V 1338 pF @ 50 V 1436 pF @ 12 V 10144 pF @ 15 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Dissipazione di potenza (max) 3.2W (Ta), 38W (Tc) 3W (Ta), 79W (Tc) 3.7W (Ta), 112W (Tc) 3.84W (Ta), 161W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Numero di prodotto di base NVMFD6 NVMFS015 NVMFS4 NVMFS4
Tensione drain-source (Vdss) 80 V 100 V 30 V 30 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V 17 nC @ 4.5 V 139 nC @ 10 V

NVMFD6H852NLWFT1G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NVMFD6H852NLWFT1G PDF e la documentazione onsemi per NVMFD6H852NLWFT1G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
NVMFD6H852NL.pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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