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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciNVMFD5C674NLT1G
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NVMFD5C674NLT1G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NVMFD5C674NLT1G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NVMFD5C674NLT1G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 60V 42A S08FL
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
NVMFD5C674NL.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 25349

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche NVMFD5C674NLT1G
Specifiche tecniche onsemi - NVMFD5C674NLT1G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NVMFD5C674NLT1G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 25µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (max) a Id, Vgs 14.4mOhm @ 10A, 10V  
Potenza - Max 3W (Ta), 37W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 640pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4.7nC @ 4.5V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 60V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Ta), 42A (Tc)  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base NVMFD5  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NVMFD5C674NLT1G

Proprietà del prodotto NVMFD5C674NLT1G NVMFD5C668NLT1G NVMFD5C672NLT1G NVMFD5C470NLT1G
Modello di prodotti NVMFD5C674NLT1G NVMFD5C668NLT1G NVMFD5C672NLT1G NVMFD5C470NLT1G
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 25µA 2V @ 50µA 2.2V @ 30µA 2.2V @ 20µA
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Rds On (max) a Id, Vgs 14.4mOhm @ 10A, 10V 6.5mOhm @ 20A, 10V 11.9mOhm @ 10A, 10V 11.5mOhm @ 5A, 10V
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4.7nC @ 4.5V 21.3nC @ 10V 5.7nC @ 4.5V 4nC @ 4.5V
Contenitore dispositivo fornitore 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Ta), 42A (Tc) 15.5A (Ta), 68A (Tc) 12A (Ta), 49A (Tc) 11A (Ta), 36A (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Numero di prodotto di base NVMFD5 NVMFD5 NVMFD5 NVMFD5
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 640pF @ 25V 1440pF @ 25V 793pF @ 25V 590pF @ 25V
Tensione drain-source (Vdss) 60V 60V 60V 40V
Serie Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Potenza - Max 3W (Ta), 37W (Tc) 3W (Ta), 57.5W (Tc) 3.1W (Ta), 45W (Tc) 3W (Ta), 24W (Tc)

NVMFD5C674NLT1G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NVMFD5C674NLT1G PDF e la documentazione onsemi per NVMFD5C674NLT1G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
NVMFD5C674NL.pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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