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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciNVMFD5C478NLWFT1G
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NVMFD5C478NLWFT1G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NVMFD5C478NLWFT1G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NVMFD5C478NLWFT1G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
40V 14.5 MOHM T8 S08FL DU
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
NVMFD5C478NL.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 46680

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche NVMFD5C478NLWFT1G
Specifiche tecniche onsemi - NVMFD5C478NLWFT1G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NVMFD5C478NLWFT1G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 20µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (max) a Id, Vgs 14.5mOhm @ 7.5A, 10V  
Potenza - Max 3.1W (Ta), 23W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 420pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.1nC @ 10V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 40V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10.5A (Ta), 29A (Tc)  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base NVMFD5  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NVMFD5C478NLWFT1G

Proprietà del prodotto NVMFD5C478NLWFT1G NVMFD5C668NLT1G NVMFD5C478NT1G NVMFD5C680NLT1G
Modello di prodotti NVMFD5C478NLWFT1G NVMFD5C668NLT1G NVMFD5C478NT1G NVMFD5C680NLT1G
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.1nC @ 10V 21.3nC @ 10V 6.3nC @ 10V 2nC @ 4.5V
Rds On (max) a Id, Vgs 14.5mOhm @ 7.5A, 10V 6.5mOhm @ 20A, 10V 17mOhm @ 7.5A, 10V 28mOhm @ 5A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Potenza - Max 3.1W (Ta), 23W (Tc) 3W (Ta), 57.5W (Tc) 3.1W (Ta), 23W (Tc) 3W (Ta), 19W (Tc)
Numero di prodotto di base NVMFD5 NVMFD5 NVMFD5 NVMFD5
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 20µA 2V @ 50µA 3.5V @ 20µA 2.2V @ 13µA
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 420pF @ 25V 1440pF @ 25V 325pF @ 25V 350pF @ 25V
Contenitore dispositivo fornitore 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Serie Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10.5A (Ta), 29A (Tc) 15.5A (Ta), 68A (Tc) 9.8A (Ta), 27A (Tc) 7.5A (Ta), 26A (Tc)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Tensione drain-source (Vdss) 40V 60V 40V 60V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

NVMFD5C478NLWFT1G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NVMFD5C478NLWFT1G PDF e la documentazione onsemi per NVMFD5C478NLWFT1G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
NVMFD5C478NL.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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