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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNVMFD6H852NLT1G
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NVMFD6H852NLT1G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NVMFD6H852NLT1G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NVMFD6H852NLT1G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
NVMFD6H852NL.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 40890

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche NVMFD6H852NLT1G
Specifiche tecniche onsemi - NVMFD6H852NLT1G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NVMFD6H852NLT1G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 26µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (max) a Id, Vgs 25.5mOhm @ 10A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.2W (Ta), 38W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 521 pF @ 40 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 80 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7A (Ta), 25A (Tc)  
Numero di prodotto di base NVMFD6  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NVMFD6H852NLT1G

Proprietà del prodotto NVMFD6H852NLT1G NVMFS3D0P04M8LT1G NVMFS025P04M8LT1G NVMFS014P04M8LT1G
Modello di prodotti NVMFD6H852NLT1G NVMFS3D0P04M8LT1G NVMFS025P04M8LT1G NVMFS014P04M8LT1G
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Contenitore dispositivo fornitore 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Dissipazione di potenza (max) 3.2W (Ta), 38W (Tc) 3.9W (Ta), 171W (Tc) 3.5W (Ta), 44.1W (Tc) 3.6W (Ta), 60W (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 80 V 40 V 40 V 40 V
Rds On (max) a Id, Vgs 25.5mOhm @ 10A, 10V 2.7mOhm @ 30A,10V 23mOhm @ 15A, 10V 13.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V 124 nC @ 10 V 16.3 nC @ 10 V 26.5 nC @ 10 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 521 pF @ 40 V 5827 pF @ 20 V 1058 pF @ 20 V 1734 pF @ 20 V
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads
Tipo FET N-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 26µA 2.4V @ 2mA 2.4V @ 255µA 2.4V @ 420µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Numero di prodotto di base NVMFD6 - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7A (Ta), 25A (Tc) 28A (Ta), 183A (Tc) 9.4A (Ta), 34.6A (Tc) 12.5A (Ta), 52.1A (Tc)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

NVMFD6H852NLT1G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NVMFD6H852NLT1G PDF e la documentazione onsemi per NVMFD6H852NLT1G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
NVMFD6H852NL.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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