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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDMS7556S
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDMS7556S - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDMS7556S
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDMS7556S
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 25V 35A/49A 8PQFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
FDMS7556S.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4540

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDMS7556S
Specifiche tecniche onsemi - FDMS7556S, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDMS7556S

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-PQFN (5x6)  
Serie PowerTrench®, SyncFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.2mOhm @ 35A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 96W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8965 pF @ 13 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 133 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 25 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 35A (Ta), 49A (Tc)  
Numero di prodotto di base FDMS7556  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDMS7556S

Proprietà del prodotto FDMS7556S FDMS7560S FDMS7570S FDMS7578
Modello di prodotti FDMS7556S FDMS7560S FDMS7570S FDMS7578
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 96W (Tc) 2.5W (Ta), 89W (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) 2.5W (Ta), 33W (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 133 nC @ 10 V 93 nC @ 10 V 69 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Serie PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench®
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numero di prodotto di base FDMS7556 FDMS7560 FDMS7570 FDMS75
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 35A (Ta), 49A (Tc) 30A (Ta), 49A (Tc) 28A (Ta), 49A (Tc) 17A (Ta), 28A (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 1mA 3V @ 1mA 3V @ 1mA 3V @ 250µA
Rds On (max) a Id, Vgs 1.2mOhm @ 35A, 10V 1.45mOhm @ 30A, 10V 1.95mOhm @ 28A, 10V 5.8mOhm @ 17A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8965 pF @ 13 V 5945 pF @ 13 V 4515 pF @ 13 V 1625 pF @ 13 V
Contenitore dispositivo fornitore 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 25 V 25 V 25 V 25 V

FDMS7556S Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDMS7556S PDF e la documentazione onsemi per FDMS7556S - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 29/Jan/2021.pdf
Assemblaggio/origine PCN
FDMSyyy 16/Mar/2020.pdf
Schede tecniche
FDMS7556S.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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