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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDMS5672
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDMS5672 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDMS5672
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDMS5672
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 10.6A/22A 8MLP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerWDFN
Scheda dati
FDMS5672.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 22402

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDMS5672
Specifiche tecniche onsemi - FDMS5672, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDMS5672

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-MLP (5x6), Power56  
Serie UltraFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 11.5mOhm @ 10.6A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 78W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerWDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2800 pF @ 30 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10.6A (Ta), 22A (Tc)  
Numero di prodotto di base FDMS56  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDMS5672

Proprietà del prodotto FDMS5672 FDMS6681Z FDMS4D5N08LC FDMS5352
Modello di prodotti FDMS5672 FDMS6681Z FDMS4D5N08LC FDMS5352
fabbricante onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2800 pF @ 30 V 10380 pF @ 15 V 5100 pF @ 40 V 6940 pF @ 30 V
Vgs (Max) ±20V ±25V ±20V ±20V
Caratteristica FET - - - -
Serie UltraFET™ PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 30 V 80 V 60 V
Rds On (max) a Id, Vgs 11.5mOhm @ 10.6A, 10V 3.2mOhm @ 22.1A, 10V 4.2mOhm @ 37A, 10V 6.7mOhm @ 13.6A, 10V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V 241 nC @ 10 V 71 nC @ 10 V 131 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 3V @ 250µA 2.5V @ 210µA 3V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore 8-MLP (5x6), Power56 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
Contenitore / involucro 8-PowerWDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10.6A (Ta), 22A (Tc) 21.1A (Ta), 49A (Tc) 17A (Ta), 116A (Tc) 13.6A (Ta), 49A (Tc)
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 78W (Tc) 2.5W (Ta), 73W (Tc) 2.5W (Ta), 113.6W (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numero di prodotto di base FDMS56 FDMS6681 FDMS4 -

FDMS5672 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDMS5672 PDF e la documentazione onsemi per FDMS5672 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf FDMSx Wire Bond Material 22/Aug/2007.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Qualify 2nd supplier 13/Aug/2020.pdf
Schede tecniche
FDMS5672.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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