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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDMS7560S
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDMS7560S - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDMS7560S
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDMS7560S
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 25V 30A/49A 8PQFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
FDMS7560S.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5390

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDMS7560S
Specifiche tecniche onsemi - FDMS7560S, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDMS7560S

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-PQFN (5x6)  
Serie PowerTrench®, SyncFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.45mOhm @ 30A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 89W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5945 pF @ 13 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 93 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 25 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Ta), 49A (Tc)  
Numero di prodotto di base FDMS7560  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDMS7560S

Proprietà del prodotto FDMS7560S FDMS7578 FDMS7570S FDMS6681Z
Modello di prodotti FDMS7560S FDMS7578 FDMS7570S FDMS6681Z
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5945 pF @ 13 V 1625 pF @ 13 V 4515 pF @ 13 V 10380 pF @ 15 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Caratteristica FET - - - -
Contenitore dispositivo fornitore 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Ta), 49A (Tc) 17A (Ta), 28A (Tc) 28A (Ta), 49A (Tc) 21.1A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 1.45mOhm @ 30A, 10V 5.8mOhm @ 17A, 10V 1.95mOhm @ 28A, 10V 3.2mOhm @ 22.1A, 10V
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Tensione drain-source (Vdss) 25 V 25 V 25 V 30 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 1mA 3V @ 250µA 3V @ 1mA 3V @ 250µA
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 89W (Tc) 2.5W (Ta), 33W (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) 2.5W (Ta), 73W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±25V
Numero di prodotto di base FDMS7560 - FDMS7570 FDMS6681
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 93 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 69 nC @ 10 V 241 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench® PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench®

FDMS7560S Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDMS7560S PDF e la documentazione onsemi per FDMS7560S - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 8/Apr/2021.pdf
Assemblaggio/origine PCN
FDMSyyy 16/Mar/2020.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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