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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDMS7570S
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDMS7570S - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDMS7570S
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDMS7570S
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 25V 28A/49A 8PQFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
FDMS7570S.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 44780

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDMS7570S
Specifiche tecniche onsemi - FDMS7570S, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDMS7570S

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-PQFN (5x6)  
Serie PowerTrench®, SyncFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.95mOhm @ 28A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 83W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4515 pF @ 13 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 69 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 25 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 28A (Ta), 49A (Tc)  
Numero di prodotto di base FDMS7570  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDMS7570S

Proprietà del prodotto FDMS7570S FDMS7558S FDMS7578 FDMS7556S
Modello di prodotti FDMS7570S FDMS7558S FDMS7578 FDMS7556S
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 1.95mOhm @ 28A, 10V 1.25mOhm @ 32A, 10V 5.8mOhm @ 17A, 10V 1.2mOhm @ 35A, 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 83W (Tc) 2.5W (Ta), 89W (Tc) 2.5W (Ta), 33W (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Numero di prodotto di base FDMS7570 - FDMS75 FDMS7556
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
Tensione drain-source (Vdss) 25 V 25 V 25 V 25 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 69 nC @ 10 V 119 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 133 nC @ 10 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie PowerTrench®, SyncFET™ - PowerTrench® PowerTrench®, SyncFET™
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 28A (Ta), 49A (Tc) 32A (Ta), 49A (Tc) 17A (Ta), 28A (Tc) 35A (Ta), 49A (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 1mA 3V @ 1mA 3V @ 250µA 3V @ 1mA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4515 pF @ 13 V 7770 pF @ 13 V 1625 pF @ 13 V 8965 pF @ 13 V
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN

FDMS7570S Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDMS7570S PDF e la documentazione onsemi per FDMS7570S - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 1/Feb/2021.pdf
Assemblaggio/origine PCN
FDMSyyy 16/Mar/2020.pdf
Schede tecniche
FDMS7570S.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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