Specifiche tecnologiche VQ2001P
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - VQ2001P, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - VQ2001P

Proprietà del prodotto	Valori degli attributi
fabbricante	Vishay / Siliconix
Vgs (th) (max) a Id	4.5V @ 1mA
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore	-
Serie	-
Rds On (max) a Id, Vgs	2Ohm @ 1A, 12V
Potenza - Max	2W
Contenitore / involucro	-
Pacchetto	Tube

Proprietà del prodotto	Valori degli attributi
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	150pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	-
Caratteristica FET	-
Tensione drain-source (Vdss)	30V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	600mA
Configurazione	4 P-Channel
Numero di prodotto di base	VQ2001

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix VQ2001P

Proprietà del prodotto
Modello di prodotti	VQ2001P	SI6943BDQ-T1-GE3	FDR8508P	NTGD3149CT1G
fabbricante	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	onsemi	onsemi
Pacchetto	Tube	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Serie	-	TrenchFET®	PowerTrench®	-
Caratteristica FET	-	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Vgs (th) (max) a Id	4.5V @ 1mA	800mV @ 250µA	3V @ 250µA	1V @ 250µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	150pF @ 15V	-	750pF @ 15V	387pF @ 10V
Configurazione	4 P-Channel	2 P-Channel (Dual)	2 P-Channel (Dual)	N and P-Channel
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	-	10nC @ 4.5V	12nC @ 5V	5.5nC @ 4.5V
Tensione drain-source (Vdss)	30V	12V	30V	20V
Rds On (max) a Id, Vgs	2Ohm @ 1A, 12V	80mOhm @ 2.5A, 4.5V	52mOhm @ 3A, 10V	60mOhm @ 3.5A, 4.5V
Potenza - Max	2W	800mW	800mW	900mW
Contenitore dispositivo fornitore	-	8-TSSOP	SuperSOT™-8	6-TSOP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	600mA	2.3A	3A	3.2A, 2.4A
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Numero di prodotto di base	VQ2001	SI6943	FDR85	NTGD31
Contenitore / involucro	-	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)	8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

VQ2001P Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica VQ2001P PDF e la documentazione Vishay Siliconix per VQ2001P - Vishay Siliconix.

PCN Obsolescence/ EOL: Mult Device OBS Update 15/May/2017.pdf
Schede tecniche: VP0300L(S), VQ2001.pdf

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Asia	Giappone	4
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