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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciAOSD21313C
AOSD21313C Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AOSD21313C - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

fabbricante Modello di prodotti
AOSD21313C
fabbricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-AOSD21313C
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2P-CH 8-SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
AOSD21313C.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 95150

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Specifiche

Specifiche tecnologiche AOSD21313C
Specifiche tecniche Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOSD21313C, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOSD21313C

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 32mOhm @ 5.7A, 10V  
Potenza - Max 1.7W  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 15V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.7A (Ta)  
Configurazione 2 P-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base AOSD213  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOSD21313C

Proprietà del prodotto AOSD21313C AOSD62666E AOSP66406 AOS3325B-R38
Modello di prodotti AOSD21313C AOSD62666E AOSP66406 AOS3325B-R38
fabbricante Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. SANICO
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) -
Caratteristica FET - Logic Level Gate - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Configurazione 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V 10nC @ 4.5V 30 nC @ 10 V -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 15V 755pF @ 30V 1480 pF @ 20 V -
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.5V @ 250µA -
Potenza - Max 1.7W 2.5W (Ta) - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.7A (Ta) 9.5A (Ta) 17A (Ta) -
Tensione drain-source (Vdss) 30V 60V 40 V -
Serie - - AlphaSGT™ -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Numero di prodotto di base AOSD213 AOSD62666 AOSP664 -
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC -
Rds On (max) a Id, Vgs 32mOhm @ 5.7A, 10V 14.5mOhm @ 9.5A, 10V 6.6mOhm @ 17A, 10V -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -

AOSD21313C Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AOSD21313C PDF e la documentazione Alpha & Omega Semiconductor Inc. per AOSD21313C - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

Informazioni ambientali
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
Schede tecniche
AOSD21313C.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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