Specifiche
Specifiche tecnologiche VQ1001P
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - VQ1001P, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - VQ1001P
| Proprietà del prodotto |
Valori degli attributi
| |
| fabbricante |
Vishay / Siliconix |
|
| Vgs (th) (max) a Id |
2.5V @ 1mA |
|
| Tecnologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
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| Contenitore dispositivo fornitore |
14-DIP |
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| Serie |
- |
|
| Rds On (max) a Id, Vgs |
1.75Ohm @ 200mA, 5V |
|
| Potenza - Max |
2W |
|
| Contenitore / involucro |
- |
|
| Pacchetto |
Tube |
|
| Proprietà del prodotto |
Valori degli attributi
| |
| temperatura di esercizio |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
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| Tipo montaggio |
Through Hole |
|
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
110pF @ 15V |
|
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs |
- |
|
| Caratteristica FET |
Logic Level Gate |
|
| Tensione drain-source (Vdss) |
30V |
|
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C |
830mA |
|
| Configurazione |
4 N-Channel |
|
| Numero di prodotto di base |
VQ1001 |
|
Metodo di spedizione
Tempi di consegna
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| Paesi comuni Riferimento del tempo logistico |
| Regione |
Paese |
Tempo logistico (giorno) |
| America |
stati Uniti |
5 |
| Brasile |
7 |
| Europa |
Germania |
5 |
| Regno Unito |
4 |
| Italia |
5 |
| Oceania |
Australia |
6 |
| Nuova Zelanda |
5 |
| Asia |
India |
4 |
| Giappone |
4 |
| Medio Oriente |
Israele |
6 |
| DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento |
| Accuse di spedizione (kg) |
Riferimento DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Nota:
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DMC1015UPD-13Diodes IncorporatedMOSFET 8V 24V POWERDI5060-8
NTLJD4116NT1GonsemiMOSFET 2N-CH 30V 2.5A 6WDFN
SI4804BDY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
NTMFD4C87NT1GonsemiMOSFET 2N-CH 30V 8DFN
AO4882Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC