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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciCSD87501L
Texas Instruments
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

CSD87501L - Texas Instruments

fabbricante Modello di prodotti
CSD87501L
fabbricante
Texas Instruments
Allelco Modello di prodotti
32D-CSD87501L
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 30V 10PICOSTAR
Descrizione dettagliata
Pacchetto
10-XFLGA
Scheda dati
CSD87501L.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 73430

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche CSD87501L
Specifiche tecniche Texas Instruments - CSD87501L, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Texas Instruments - CSD87501L

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Texas Instruments  
Vgs (th) (max) a Id 2.3V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 10-Picostar (3.37x1.47)  
Serie NexFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs -  
Potenza - Max 2.5W  
Contenitore / involucro 10-XFLGA  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) -  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C -  
Configurazione 2 N-Channel (Dual) Common Drain  
Numero di prodotto di base CSD87501  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Texas Instruments CSD87501L

Proprietà del prodotto CSD87501L CSD87588N CSD87353Q5D CSD87355Q5D
Modello di prodotti CSD87501L CSD87588N CSD87353Q5D CSD87355Q5D
fabbricante Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Rds On (max) a Id, Vgs - 9.6mOhm @ 15A, 10V - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - 736pF @ 15V 3190pF @ 15V 1860pF @ 15V
Tensione drain-source (Vdss) - 30V 30V 30V
Serie NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Configurazione 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Numero di prodotto di base CSD87501 CSD87588 CSD87353Q5 CSD87355Q5
Vgs (th) (max) a Id 2.3V @ 250µA 1.9V @ 250µA 2.1V @ 250µA 1.9V @ 250µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V 4.1nC @ 4.5V 19nC @ 4.5V 13.7nC @ 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Potenza - Max 2.5W 6W 12W 12W
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C - 25A 40A -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro 10-XFLGA 5-XFLGA 8-PowerLDFN 8-PowerLDFN
Contenitore dispositivo fornitore 10-Picostar (3.37x1.47) 5-PTAB (3x2.5) 8-LSON (5x6) 8-LSON (5x6)

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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