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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciSI7904BDN-T1-E3
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SI7904BDN-T1-E3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SI7904BDN-T1-E3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SI7904BDN-T1-E3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8
Descrizione dettagliata
Pacchetto
PowerPAK® 1212-8 Dual
Scheda dati
SI7904BDN-T1-E3.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 53930

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Specifiche

Specifiche tecnologiche SI7904BDN-T1-E3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SI7904BDN-T1-E3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SI7904BDN-T1-E3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PowerPAK® 1212-8 Dual  
Serie TrenchFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 30mOhm @ 7.1A, 4.5V  
Potenza - Max 17.8W  
Contenitore / involucro PowerPAK® 1212-8 Dual  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 860pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 8V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base SI7904  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SI7904BDN-T1-E3

Proprietà del prodotto SI7904BDN-T1-E3 SI7901EDN-T1-E3 SI7904DN-T1-E3 SI7900AEDN-T1-GE3
Modello di prodotti SI7904BDN-T1-E3 SI7901EDN-T1-E3 SI7904DN-T1-E3 SI7900AEDN-T1-GE3
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Contenitore dispositivo fornitore PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® 1212-8 Dual
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A 4.3A 5.3A 6A
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 20V 20V 20V 20V
Contenitore / involucro PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 1V @ 800µA 1V @ 935µA 900mV @ 250µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 8V 18nC @ 4.5V 15nC @ 4.5V 16nC @ 4.5V
Numero di prodotto di base SI7904 SI7901 SI7904 SI7900
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 860pF @ 10V - - -
Potenza - Max 17.8W 1.3W 1.3W 1.5W
Rds On (max) a Id, Vgs 30mOhm @ 7.1A, 4.5V 48mOhm @ 6.3A, 4.5V 30mOhm @ 7.7A, 4.5V 26mOhm @ 8.5A, 4.5V

SI7904BDN-T1-E3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SI7904BDN-T1-E3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SI7904BDN-T1-E3 - Vishay Siliconix.

Assemblaggio/origine PCN
New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf
PCN Design/Specifica
Mult Devices 18/Jul/2017.pdf

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