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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSQM40P10-40L_GE3
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SQM40P10-40L_GE3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SQM40P10-40L_GE3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SQM40P10-40L_GE3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 100V 40A TO263
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
SQM40P10-40L.pdf
In magazzino: 25489

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Specifiche

Specifiche tecnologiche SQM40P10-40L_GE3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SQM40P10-40L_GE3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SQM40P10-40L_GE3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-263 (D²Pak)  
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 40mOhm @ 17A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5295 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 134 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Tc)  
Numero di prodotto di base SQM40  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SQM40P10-40L_GE3

Proprietà del prodotto SQM40P10-40L_GE3 SQM50020EL_GE3 SQM40031EL_GE3 SQM50034EL_GE3
Modello di prodotti SQM40P10-40L_GE3 SQM50020EL_GE3 SQM40031EL_GE3 SQM50034EL_GE3
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 60 V 40 V 60 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 134 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 800 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Contenitore dispositivo fornitore TO-263 (D²Pak) TO-263 (D²Pak) TO-263 (D²Pak) TO-263 (D²Pak)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc) 375W (Tc) 375W (Tc) 150W (Tc)
Numero di prodotto di base SQM40 SQM50020 SQM40031 SQM50034
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tipo FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 40mOhm @ 17A, 10V 2mOhm @ 30A, 10V 3mOhm @ 30A, 10V 3.9mOhm @ 20A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc) 100A (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5295 pF @ 25 V 15100 pF @ 25 V 39000 pF @ 25 V 6100 pF @ 25 V

SQM40P10-40L_GE3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SQM40P10-40L_GE3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SQM40P10-40L_GE3 - Vishay Siliconix.

Assemblaggio/origine PCN
Additional Backmetal Capability 12/APR/2023.pdf
Schede tecniche
SQM40P10-40L.pdf

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Europa Germania 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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