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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSQM50034EL_GE3
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SQM50034EL_GE3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SQM50034EL_GE3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SQM50034EL_GE3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 100A TO263
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
SQM50034EL.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 23643

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SQM50034EL_GE3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SQM50034EL_GE3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SQM50034EL_GE3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-263 (D²Pak)  
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 3.9mOhm @ 20A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6100 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 90 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)  
Numero di prodotto di base SQM50034  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SQM50034EL_GE3

Proprietà del prodotto SQM50034EL_GE3 SQM40P10-40L_GE3 SQM50020EL_GE3 SQM50P06-15L
Modello di prodotti SQM50034EL_GE3 SQM40P10-40L_GE3 SQM50020EL_GE3 SQM50P06-15L
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix VISH
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 90 nC @ 10 V 134 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V -
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Numero di prodotto di base SQM50034 SQM40 SQM50020 -
Tipo FET N-Channel P-Channel N-Channel -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc) 150W (Tc) 375W (Tc) -
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc) 40A (Tc) 120A (Tc) -
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® -
Contenitore dispositivo fornitore TO-263 (D²Pak) TO-263 (D²Pak) TO-263 (D²Pak) -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6100 pF @ 25 V 5295 pF @ 25 V 15100 pF @ 25 V -
Rds On (max) a Id, Vgs 3.9mOhm @ 20A, 10V 40mOhm @ 17A, 10V 2mOhm @ 30A, 10V -
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 100 V 60 V -

SQM50034EL_GE3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SQM50034EL_GE3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SQM50034EL_GE3 - Vishay Siliconix.

Schede tecniche
SQM50034EL.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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