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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSQM40041EL_GE3
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SQM40041EL_GE3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SQM40041EL_GE3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SQM40041EL_GE3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 40V 120A TO263
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
SQM40041EL Datasheet.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 22056

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Specifiche

Specifiche tecnologiche SQM40041EL_GE3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SQM40041EL_GE3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SQM40041EL_GE3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-263 (D²Pak)  
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 3.4mOhm @ 25A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 157W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 23600 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 450 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)  
Numero di prodotto di base SQM40041  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SQM40041EL_GE3

Proprietà del prodotto SQM40041EL_GE3 SQM40P10-40L_GE3 SQM200N04-1M1L_GE3 SQM120P06-07L_GE3
Modello di prodotti SQM40041EL_GE3 SQM40P10-40L_GE3 SQM200N04-1M1L_GE3 SQM120P06-07L_GE3
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 450 nC @ 10 V 134 nC @ 10 V 413 nC @ 10 V 270 nC @ 10 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc) 40A (Tc) 200A (Tc) 120A (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Tipo FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-263 (D²Pak) TO-263 (D²Pak) TO-263-7 TO-263 (D²Pak)
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 100 V 40 V 60 V
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Dissipazione di potenza (max) 157W (Tc) 150W (Tc) 375W (Tc) 375W (Tc)
Numero di prodotto di base SQM40041 SQM40 SQM200 SQM120
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 23600 pF @ 25 V 5295 pF @ 25 V 20655 pF @ 25 V 14280 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (max) a Id, Vgs 3.4mOhm @ 25A, 10V 40mOhm @ 17A, 10V 1.1mOhm @ 30A, 10V 6.7mOhm @ 30A, 10V

SQM40041EL_GE3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SQM40041EL_GE3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SQM40041EL_GE3 - Vishay Siliconix.

Schede tecniche
SQM40041EL Datasheet.pdf

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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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