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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciSI3993DV-T1-E3
SI3993DV-T1-E3 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SI3993DV-T1-E3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SI3993DV-T1-E3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SI3993DV-T1-E3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6-TSOP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Scheda dati
SI3993DV-T1-E3.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4570

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SI3993DV-T1-E3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SI3993DV-T1-E3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SI3993DV-T1-E3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 6-TSOP  
Serie TrenchFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 133mOhm @ 2.2A, 10V  
Potenza - Max 830mW  
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.8A  
Configurazione 2 P-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base SI3993  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SI3993DV-T1-E3

Proprietà del prodotto SI3993DV-T1-E3 SI3951DV-T1-E3 SI3983DV-T1-E3 SI3981DV-T1-E3
Modello di prodotti SI3993DV-T1-E3 SI3951DV-T1-E3 SI3983DV-T1-E3 SI3981DV-T1-E3
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.8A 2.7A 2.1A 1.6A
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Configurazione 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - 250pF @ 10V - -
Tensione drain-source (Vdss) 30V 20V 20V 20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 4.5V 5.1nC @ 5V 7.5nC @ 4.5V 5nC @ 4.5V
Potenza - Max 830mW 2W 830mW 800mW
Rds On (max) a Id, Vgs 133mOhm @ 2.2A, 10V 115mOhm @ 2.5A, 4.5V 110mOhm @ 2.5A, 4.5V 185mOhm @ 1.9A, 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numero di prodotto di base SI3993 SI3951 SI3983 SI3981
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.1V @ 250µA 1.1V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP

SI3993DV-T1-E3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SI3993DV-T1-E3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SI3993DV-T1-E3 - Vishay Siliconix.

Assemblaggio/origine PCN
New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Devices 15/Sep/2017.pdf

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Europa Germania 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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