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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

SI3981DV-T1-E3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SI3981DV-T1-E3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SI3981DV-T1-E3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6-TSOP
Pacchetto
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Scheda dati
SI3981DV.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 5020

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Specifiche

Specifiche tecnologiche SI3981DV-T1-E3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SI3981DV-T1-E3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SI3981DV-T1-E3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 1.1V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 6-TSOP  
Serie TrenchFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 185mOhm @ 1.9A, 4.5V  
Potenza - Max 800mW  
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.6A  
Configurazione 2 P-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base SI3981  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SI3981DV-T1-E3

Proprietà del prodotto SI3981DV-T1-E3 SI3981DV-T1-GE3 SI3948DV-T1-GE3 SI3951DV-T1-GE3
Modello di prodotti SI3981DV-T1-E3 SI3981DV-T1-GE3 SI3948DV-T1-GE3 SI3951DV-T1-GE3
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Vgs (th) (max) a Id 1.1V @ 250µA 1.1V @ 250µA 1V @ 250µA (Min) 1.5V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP
Configurazione 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - - - 250pF @ 10V
Potenza - Max 800mW 800mW 1.15W 2W
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 4.5V 5nC @ 4.5V 3.2nC @ 5V 5.1nC @ 5V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.6A 1.6A - 2.7A
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 20V 20V 30V 20V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (max) a Id, Vgs 185mOhm @ 1.9A, 4.5V 185mOhm @ 1.9A, 4.5V 105mOhm @ 2.5A, 10V 115mOhm @ 2.5A, 4.5V
Numero di prodotto di base SI3981 SI3981 SI3948 SI3951

SI3981DV-T1-E3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SI3981DV-T1-E3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SI3981DV-T1-E3 - Vishay Siliconix.

Schede tecniche
SI3981DV.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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Vishay Siliconix
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