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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciSI3951DV-T1-GE3
SI3951DV-T1-GE3 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SI3951DV-T1-GE3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SI3951DV-T1-GE3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SI3951DV-T1-GE3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 6-TSOP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Scheda dati
SI3951DV.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4910

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Specifiche

Specifiche tecnologiche SI3951DV-T1-GE3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SI3951DV-T1-GE3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SI3951DV-T1-GE3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 6-TSOP  
Serie TrenchFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 115mOhm @ 2.5A, 4.5V  
Potenza - Max 2W  
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5.1nC @ 5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.7A  
Configurazione 2 P-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base SI3951  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SI3951DV-T1-GE3

Proprietà del prodotto SI3951DV-T1-GE3 SI3948DV-T1-E3 SI3951DV-T1-E3 SI3981DV-T1-GE3
Modello di prodotti SI3951DV-T1-GE3 SI3948DV-T1-E3 SI3951DV-T1-E3 SI3981DV-T1-GE3
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.7A - 2.7A 1.6A
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5.1nC @ 5V 3.2nC @ 5V 5.1nC @ 5V 5nC @ 4.5V
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Configurazione 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Potenza - Max 2W 1.15W 2W 800mW
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 10V - 250pF @ 10V -
Numero di prodotto di base SI3951 SI3948 SI3951 SI3981
Rds On (max) a Id, Vgs 115mOhm @ 2.5A, 4.5V 105mOhm @ 2.5A, 10V 115mOhm @ 2.5A, 4.5V 185mOhm @ 1.9A, 4.5V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA (Min) 1.5V @ 250µA 1.1V @ 250µA
Tensione drain-source (Vdss) 20V 30V 20V 20V
Contenitore dispositivo fornitore 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP

SI3951DV-T1-GE3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SI3951DV-T1-GE3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SI3951DV-T1-GE3 - Vishay Siliconix.

Schede tecniche
SI3951DV.pdf

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Europa Germania 5
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Asia India 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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