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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSI1307DL-T1-E3
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SI1307DL-T1-E3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SI1307DL-T1-E3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SI1307DL-T1-E3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 12V 850MA SC70-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SC-70, SOT-323
Scheda dati
SI1307DL.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5400

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SI1307DL-T1-E3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SI1307DL-T1-E3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SI1307DL-T1-E3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 450mV @ 250µA (Min)  
Vgs (Max) ±8V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SC-70-3  
Serie TrenchFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 290mOhm @ 1A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 290mW (Ta)  
Contenitore / involucro SC-70, SOT-323  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 12 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 850mA (Ta)  
Numero di prodotto di base SI1307  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SI1307DL-T1-E3

Proprietà del prodotto SI1307DL-T1-E3 SI1305DL-T1-E3 SI1307EDL-T1-E3 SI1400DL-T1-E3
Modello di prodotti SI1307DL-T1-E3 SI1305DL-T1-E3 SI1307EDL-T1-E3 SI1400DL-T1-E3
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 850mA (Ta) 860mA (Ta) 850mA (Ta) 1.6A (Ta)
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 290mOhm @ 1A, 4.5V 280mOhm @ 1A, 4.5V 290mOhm @ 1A, 4.5V 150mOhm @ 1.7A, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss) 12 V 8 V 12 V 20 V
Contenitore / involucro SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Dissipazione di potenza (max) 290mW (Ta) 290mW (Ta) 290mW (Ta) 568mW (Ta)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 450mV @ 250µA (Min) 450mV @ 250µA (Min) 450mV @ 250µA (Min) 600mV @ 250µA (Min)
Vgs (Max) ±8V ±8V ±8V ±12V
Serie TrenchFET® TrenchFET® - TrenchFET®
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore dispositivo fornitore SC-70-3 SC-70-3 SC-70-3 SC-70-6
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5 nC @ 4.5 V 4 nC @ 4.5 V 5 nC @ 4.5 V 4 nC @ 4.5 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numero di prodotto di base SI1307 SI1305 SI1307 SI1400

SI1307DL-T1-E3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SI1307DL-T1-E3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SI1307DL-T1-E3 - Vishay Siliconix.

Informazioni ambientali
Material Compliance.pdf
Schede tecniche
SI1307DL.pdf

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Europa Germania 5
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Asia India 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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